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本发明公开一种纳米电容三维集成结构及其制备方法。该纳米电容三维集成结构包括形成在硅衬底的沟槽内的垂直堆叠的第一纳米电容结构和第二纳米电容结构，两者相互并联连接。本发明能够有效增大纳米电容整体的电容密度，同时简化工艺步骤，降低生产成本。...
该专利属于复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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