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本发明公开一种硅基纳米电容三维集成结构及其制备方法。在硅片的正反面分别制备出纳米电容，并通过硅通孔结构并联连接，可以显著增大电容密度。同时采用硅通孔结构将两个纳米电容连接到一起，可以缩短互连线长度，从而有利于减小互连电阻和能量损耗。...
该专利属于复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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