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本发明公开了一种基于超临界氮氧化合物改善4H‑SiC/SiO2界面的低温处理方法及其应用，将待处理的碳化硅样品进行标准清洗；将清洗后的碳化硅样品干氧氧化生长氧化层；将带有氧化层的碳化硅样品放置到超临界设备内支架上，保证样品垂直；控制压强向超...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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