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一种对含硅、含锗和含金属材料进行气簇离子束刻蚀方法，提供包含晶体硅的衬底和衬底表面上的暴露材料层；在衬底固定器周围保持减压环境，保持所述衬底；将所述衬底安全地保持在所述减压环境中；执行产生压力和气体团簇离子束GCI)蚀刻工艺以去除所述暴露材...
该专利属于江苏集创原子团簇科技研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏集创原子团簇科技研究院有限公司授权不得商用。

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