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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成衬底、位于衬底上的初始半导体柱、位于所述初始半导体柱上的第一掩膜层以及位于所述第一掩膜层上的第二掩膜层；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀初始半导体柱，形成交叉型的半导体柱；形成半导体柱后，在半...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。