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本发明公开了钛酸钡基超顺电膜材料、中低温在硅基底上集成制备钛酸钡基超顺电膜的方法及其应用。其方法为：在室温(无加热)或150℃条件下，在镀完铂钛的基体表面由下向上依次磁控溅射缓冲层、钛酸钡基膜，在钛酸钡基膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材...
该专利属于欧阳俊所有，仅供学习研究参考，未经过欧阳俊授权不得商用。

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