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本发明涉及一种基于4管存储的存储单元，存储单元包括：第一存储子单元、第二存储子单元、位线BL、位线BLB、字线WL、字线MWL、字线MWLB、位线MBL、第一电容和第二电容；第一存储子单元和第二存储子单元均包括管T1、管T2、管T3、管T4...
该专利属于中科院微电子研究所南京智能技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中科院微电子研究所南京智能技术研究院授权不得商用。

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