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本发明涉及一种真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明针对传统电沉积存在结构较为松散、容易产生空洞、成分不易控制、形貌较差等缺陷，将电化学反应器内部气压维持在较低气压下，并对置于电解液中的导电基底施加电势，实...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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