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本实用新型涉及一种氮化镓功率器件结构，它包括衬底、成核层、第一GaN外沿层、插入层、第二GaN外沿层、AlGaN势垒层、栅极插入层、p型GaN栅极、保护层、散热层、源极金属、栅极金属与漏极金属，在AlGaN势垒层的上表面中部开设有势垒层凹陷...
该专利属于无锡硅动力微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡硅动力微电子股份有限公司授权不得商用。

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