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本发明公开了一种抵抗静电冲击的半导体激光器芯片，该半导体激光器芯片的电极台面区域上设有呈阵列排布的圆锥台结构，所述圆锥台结构的内部为N型反向层，圆锥台四周外壁依次包覆绝缘介电质层和P面电极层，圆锥台顶部的N型反向层外部依次覆盖上高掺杂P型接...
该专利属于武汉敏芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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