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本发明公开了一种阻变元件的制备方法，所述阻变元件包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极与所述顶电极之间的阻变层，以形成MIM结构，制备方法包括以下步骤：在制备好第一金属块M1后，采用刻蚀工艺、沉积工艺和磨平工艺交叉进行，以制备所述底电极、所...
该专利属于厦门半导体工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门半导体工业技术研发有限公司授权不得商用。

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