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本发明提供一种新型MRAM中铜互联上底电极的制备方法，包括：提供一基底，所述基底包括依次堆叠设置的金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔，所述底部通孔与所述金属互联层相连；在所述基底表面依次沉积第二阻挡层...该专利属于中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。