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本公开提供了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述N型层包括多个周期交替生长的...
该专利属于华灿光电(浙江)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(浙江)有限公司授权不得商用。

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