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本发明公开了一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层、P‑GaN帽层，本发明提供了一种新的结构及长法，实现增强型HEMT器件的外延制备...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

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