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本发明公开了一种基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法及装置及可读存储介质，所述方法包括:读入芯片设计；根据单元约束摆放标准单元；筛选出标准单元区域中绕线溢出的区域；根据所述绕线溢出的区域，制定棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层；往所述绕线溢出的区...
该专利属于广芯微电子(广州)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广芯微电子(广州)股份有限公司授权不得商用。

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