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本发明提供了一种高比表面积铜晶须材料，通过化学‑电化学腐蚀去合金的方法获得高比表面积多孔铜，然后通过脉冲激光烧灼硫化钨的方法，在多孔的表面获得硫化钨层，并通过改善高温还原过程的时间和温度，有效控制铜晶须在多孔铜表面的原位生长的速度和尺寸，而...
该专利属于左海珍所有，仅供学习研究参考，未经过左海珍授权不得商用。

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