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本发明属一种列阵波导光栅（ＡＷＧ）的紫外写入的制作方法。以单晶硅为衬底（１），用火焰水解法顺次在衬底（１）上淀积ＳｉＯ↓［２］膜材料的下包层２、掺杂ＧｅＯ↓［２］的ＳｉＯ↓［２］膜材料的波导芯层（３）和ＳｉＯ↓［２］膜材料的上包层（４），在...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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