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公开了半导体器件，该半导体器件在III‑V材料与下方基板之间具有高温势垒层的。高温势垒层可以最小化或防止砷和磷从覆盖层向下方基板中的扩散。结合了高温势垒层的含稀氮化物的多结光伏电池表现出高效率。...
该专利属于阿雷光子学公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿雷光子学公司授权不得商用。

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