温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明实施例公开了一种吸波单元结构,包括:第一介质层的另一表面与第二介质层的另一表面之间具有第一间距;导体结构层包括第一子结构和第二子结构;第一子结构包括中心部,及与中心部一体成型且向导体结构层边缘方向延伸的M个第一延伸部和N个第二延伸部,...该专利属于深圳市环波科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市环波科技有限责任公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明实施例公开了一种吸波单元结构,包括:第一介质层的另一表面与第二介质层的另一表面之间具有第一间距;导体结构层包括第一子结构和第二子结构;第一子结构包括中心部,及与中心部一体成型且向导体结构层边缘方向延伸的M个第一延伸部和N个第二延伸部,...