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本发明实施例公开了一种三维相变存储器及其制备方法,其中,所述三维相变存储器包括:沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及位于所述第一导电线和所述第二导电线相交处的相变存储单元;其中,所述第一方向与所述第二方向平行于同一平面...该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。
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