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本发明提供一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法,该图像传感器包括衬底、光电二极管、电荷存储节点、深沟槽隔离结构、介质层及电荷传输晶体管,其中,光电二极管及电荷存储节点均位于衬底中,且在水平方向上间隔预设距离,深沟槽隔离结构位于光电...该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。
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本发明提供一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法,该图像传感器包括衬底、光电二极管、电荷存储节点、深沟槽隔离结构、介质层及电荷传输晶体管,其中,光电二极管及电荷存储节点均位于衬底中,且在水平方向上间隔预设距离,深沟槽隔离结构位于光电...