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本实用新型涉及芯片技术领域，特别涉及一种MOSFET功率器件。所述一种MOSFET功率器件，包括：N+衬底层，所述N+衬底层上设置有N‑外延层，所述N‑外延层上部设置有P‑BODY区，所述P‑BODY区下部设置有高掺杂区，所述P‑BODY区...该专利属于福建省福芯电子科技有限公司;无锡玛盟特微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省福芯电子科技有限公司;无锡玛盟特微电子有限公司授权不得商用。