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本发明采用金属膜层和光刻胶层相结合的复合掩膜技术，实现对二氧化硅的深刻蚀工艺，属于光通讯领域以及半导体领域。本发明利用光刻胶在反应离子刻蚀过程中不易产生附着颗粒，以及Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ等金属掩膜在含Ｆ等离子体刻蚀二氧化硅的时候刻蚀选择比高的特...
该专利属于武汉光迅科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光迅科技有限责任公司授权不得商用。

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