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本公开提供了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、过渡层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述过渡层、所述未掺杂氮化镓层、所述N型半导体层、所述有源层和所...
该专利属于华灿光电(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(苏州)有限公司授权不得商用。

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