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存储器元件的结构制造技术
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文档序号:26732858
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本发明公开一种存储器元件的结构,其包括沟槽隔离线在基板中延伸在第一方向。有源区域在所述基板中且在相邻两个所述沟槽隔离线之间。介电层设置在所述有源区域上。浮置栅对应存储单元设置在所述介电层上,位于相邻两个所述沟槽隔离线之间。所述浮置栅有第一凸...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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