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本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种LED芯片结构，包括蓝宝石衬底、N‑GaN层、P‑GaN层、电流阻挡层、电流扩展层、N区围坝结构和量子阱发光层,本实用新型通过在蓝宝石衬底，蓝宝石衬底底部设置半球结构，半球结构为多个形状相同的半球体，...
该专利属于福建科诺欣科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建科诺欣科技有限公司授权不得商用。

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