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本发明公开了一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将支撑材料与金属基底交替叠放，卷成卷或直接置于CVD反应炉内，在惰性气氛中通入碳源气体和氢气，进行石墨烯的生长；生长结构完成后冷却至室温，将支撑材料与金属基底取出，得到大面积的单层石...
该专利属于重庆诺奖二维材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆诺奖二维材料研究院有限公司授权不得商用。

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