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本发明提供一种MEMS器件结构及其制备方法，MEMS器件结构包括：基底，基底内形成有释放腔室；支撑结构，位于基底的上表面，且位于释放腔室外围；膜层结构，位于基底的上方，与基底的上表面具有间距；膜层结构横跨释放腔室，且固定于支撑结构上；背极板...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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