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本发明的二维光子晶体在薄板层(31)的下部配置包覆层(32)。并通过在薄板层上周期性配置与薄板层折射率不同的区域(35)来形成二维光子晶体。而且,具有缺省了该区域的一部分的点状缺陷(36)。点状缺陷成为使特定波长的光共振的共振器。面对着点状...该专利属于国立大学法人京都大学;TDK株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过国立大学法人京都大学;TDK株式会社授权不得商用。
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本发明的二维光子晶体在薄板层(31)的下部配置包覆层(32)。并通过在薄板层上周期性配置与薄板层折射率不同的区域(35)来形成二维光子晶体。而且,具有缺省了该区域的一部分的点状缺陷(36)。点状缺陷成为使特定波长的光共振的共振器。面对着点状...