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描述了一种使用NMOS晶体管作为低损耗理想二极管的理想二极管电路。晶体管的控制电路以阳极电压为参考,而不是以地为参考,因此即使输入电压非常高,控制电路系统也可以是以地为参考的低电压电路系统。以阳极电压为参考,电容器被箝位在约10‑20V。该...该专利属于亚德诺半导体国际无限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过亚德诺半导体国际无限责任公司授权不得商用。
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描述了一种使用NMOS晶体管作为低损耗理想二极管的理想二极管电路。晶体管的控制电路以阳极电压为参考,而不是以地为参考,因此即使输入电压非常高,控制电路系统也可以是以地为参考的低电压电路系统。以阳极电压为参考,电容器被箝位在约10‑20V。该...