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一种短路半导体器件(15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72)包括半导体本体(16)，其中，布置有第一导电类型的背面基极区域(6)、与所述第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域(7)和第一导电类型...
该专利属于英飞凌科技有限两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技有限两合公司授权不得商用。

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