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一种制造晶体管的方法(500)包括：在半导体衬底上形成(502)第一电介质层；在第一电介质层上沉积(504)阻挡层；在阻挡层上沉积(506)抗反射涂层；沉积(508)及使光致抗蚀剂层中的图案暴露(510)于辐射，然后蚀刻(512)以提供开口...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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