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本发明提供一种紫外LED结构及其制备方法，其中紫外LED结构，包括：衬底和依次生长在所述衬底的一个表面上的非掺杂AlN层、非掺杂AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、AlGaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层；在所述AlGaN电子阻挡层上纵向...
该专利属于至芯半导体(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至芯半导体(杭州)有限公司授权不得商用。

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