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一种LED外延片及制作方法，其中方法包括如下步骤，S101、在衬底上溅射ALN薄膜；S102、在所述ALN薄膜上生长第一U型铝镓氮层；S103、对第一U型铝镓氮层进行图形化处理，形成上表面有纳米级凹凸图案的图形化的第一U型铝镓氮层；S104...
该专利属于福建兆元光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建兆元光电有限公司授权不得商用。

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