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本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型P型晶硅电池背接触钝化制备工艺，背面激光开槽后，采用热扩散方式，在背极制备硼重掺层，背极制备硼重掺层制备过程中，首先以10slm的流量通N2，升温至900℃，并等待5min；然后在保持氮气流量不变到的情...
该专利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西潞安太阳能科技有限责任公司授权不得商用。

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