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本发明涉及太阳能电池制备技术领域，公开了一种太阳能芯片的制备方法，包括提供一基底，在所述基底上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积第一钼膜层作为第一背电极层；在所述第一背电极层上沉积钼钠膜层作为第二背电极层；在所述第二背电极层上沉积第二钼膜层作为...
该专利属于领凡新能源科技(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过领凡新能源科技(北京)有限公司授权不得商用。

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