温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种SiC沟槽MPS二极管，包括衬底上表面向上依次外延有n型缓冲层、n型漂移区、p型轻掺杂区，p型轻掺杂区上表面靠近内侧设置有多个p型发射区；相邻p型发射区之间设置有矩形沟槽，每个矩形沟槽的底面均嵌入p型轻掺杂区中，矩形沟槽的底...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。