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本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN高电子迁移率晶体管，属于铁磁材料领域及三代半导体微波毫米波器件领域。该晶体管包括GaN HEMT完整外延结构以及在GaN HEMT完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质、一次栅金属磁化膜及二次栅...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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