温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种闪存器件的掩膜版及制造方法，所述闪存器件的掩膜版包括有源区掩膜版和浮栅掩膜版，所述有源区掩膜版包括：存储掩膜版区和外围掩膜版区，所述存储掩膜版区和所述外围掩膜版区的交界处设有一第一有源区图形，在闪存器件的制造方法中，通过所述有...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。