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本发明提供一种填埋式三维金属‑氧化物场效应晶体管及制备方法，制备方法包括：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中刻蚀出至少一个沟槽；2)于所述沟槽表面及所述半导体衬底表面形成栅介质层，于所述栅介质层上形成栅电极层，并刻蚀所述栅电极层及栅介...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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