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本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层...该专利属于重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。