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一种低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法，属于半导体材料领域。低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法，用于在不增加位错密度情况下对禁带宽度大于2.3eV的半导体单晶外延薄膜进行处理以降低其点缺陷密度，制备方法包括：提供洁净...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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