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本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过第一次灰化处理去除部分厚度的图形化的第一光刻胶层，然后通过对半导体衬底进行清洗，去除部分所述图形化的第一光刻胶层和部分凸起层，使剩余的图形化的第一光刻胶层、剩余的凸起层和图形化的第二抗反射层容易通过后...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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