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一种气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备，气体调节装置设置在半导体处理设备的真空反应腔内，气体调节装置至少包含一个一级气体扩散槽和一个二级气体扩散槽，一级气体扩散槽与多个进气口连接，以获得反应气体，二级气体扩散槽上设置多个出气口，以向...
该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。

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