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本发明一种非易失性存储器的写入方法和装置，对存储器单元的状态控制精确，写入速度快，存储单元使用寿命更长。所述装置包含存储单元阵列、写入电路、读取电路和控制电路。写入电路通过BL将激励施加到存储单元阵列中被选中的存储单元，BL同时连接至读取电...
该专利属于西安交通大学;西安紫光国芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学;西安紫光国芯半导体有限公司授权不得商用。

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