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本发明公开了一种薄膜电池输出的I‑V特性拟合方法，仅需要根据薄膜电池的型号查找其数据手册，获取该型号的基本数据，无需求解超越方程和任何实测数据，以2条2阶Bezier函数分别对薄膜电池输出I‑V特性曲线最大功率点左、右两侧进行拟合的简单方法...
该专利属于黑龙江科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过黑龙江科技大学授权不得商用。

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