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低偏振模色散包层模抑制型光敏光纤及其制备方法技术
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文档序号:2666936
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本发明涉及一种低偏振模色散包层模抑制型光敏光纤及其制备方法,其特征是:在光纤的芯层中掺入了46%-54%锗元素,光纤的NA值为0.25-0.31,光纤芯层的折射率的增大△值为1.8%-2.1%,光纤内包层的下陷型折射率相对差值△在-0.1%...
该专利属于长飞光纤光缆有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长飞光纤光缆有限公司授权不得商用。
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