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基于场效应晶体管结构的X射线探测器及其制备方法技术
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下载基于场效应晶体管结构的X射线探测器及其制备方法的技术资料
文档序号:26652429
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本发明公开了基于场效应晶体管结构的X射线探测器及其制备方法,包括可以吸收X射线的X射线吸收层、半导体沟道层、栅极电极、栅极介电层、源极电极、漏极电极以及衬底,当X射线入射到X射线探测器的X射线吸收层后,在X射线吸收层中产生电子‑空穴对,这些...
该专利属于深圳中芯光宇科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳中芯光宇科技有限公司授权不得商用。
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