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本发明涉及半导体装置。就RC‑IGBT芯片(1)而言，阳极电极膜(21)和发射极电极膜(17)隔开距离地配置。阳极电极膜(21)和发射极电极膜(17)通过具有外部阻抗(27)及外部阻抗(29)的配线导体(41)电连接。外部阻抗(27)及外部...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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