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本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，通过执行离子注入工艺，在暴露的半导体衬底内形成掺杂区；执行热氧化工艺，使所述掺杂区内的离子扩散以形成阱区，并在所述阱区上形成热氧化材料层，所述热氧化材料层包括第一部分和第二部分；接着，去除所述热...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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